场效应管在高频与低频用法一样吗?SOM管、场效应管原理一样就是漏级电压不同，晶体管是指（NPN，PNP）的管子，SOM管、场效应管用在大电流高电压控制级电压较低电流较弱，晶体管用在放大信号（有低频和高频）之分。场效应管的区别,要看场效应管的噪声声波的分布，通常低频、高频都有，则是分布范围多少而已。
1、场效应管特性及单端甲类功放制作全过程场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理赋予了场效应管许多优良的性能，它向使用者散发出诱人的光辉。
场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性，对普通晶体管来说，就是发射极和集电极互换，对电子管来说，就是将阴极和阳极互换。一、场效应管的特性场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。
2、在低频电路中场效应管的g极应该适应适应多大的电阻好?对于场效应管来说，栅极输入端所加的电阻可以高一些，几百千欧或者几兆欧都可以。因为对于常见的MOSFET来说，其栅极的绝缘层采用干氧化工艺其结构致密，可以认为电阻极高，相反的栅极绝缘层很薄，电压如果高的话容易发生电击穿，所以适当提高输入电阻的话可以降低栅源间的电压差。
3、SOM管,晶体管,场效应管的区别,用途!还有桥堆的概念,桥堆与二三极管的区...都是晶体管MOS管是用来放大电压的，与NPN的三极管有点相似晶体管，其实这些都属于晶体管场效应管与MOS管是一个概念桥堆是四个二极管串并起来的，整流用的。凭记忆只记得这么多了。SOM管、场效应管原理一样就是漏级电压不同，晶体管是指（NPN，PNP）的管子，SOM管、场效应管用在大电流高电压控制级电压较低电流较弱，晶体管用在放大信号（有低频和高频）之分。
4、场效应管在高频与低频用法一样吗?炸褶是完全不一样的，因为他们的应用是完全不一样的，所以在这方面的话，你一定要注意。要看场效应管的噪声声波的分布，通常低频、高频都有，则是分布范围多少而已。尤其是为什么要强调是“低频“小信号模型，试着答一下。做小信号模型分析时，小信号电流方向随便规定一个都可以，习惯上就是从D流到S。如果最后解出来结果为负，就表示实际的小信号电流方向是反的，从S到D的呀。
场效应三极管是高阻抗输入放大型晶体管。由于构造原因，场效应三极管有结电容的存在，因此在高频放大电路中，要采用结电容小的场效应三极管，同样，由于场效应三极管结电容的存在，在电路应用方面，要考虑避免自激干扰的产生。比如在低频放大电路中可能就要设置高频滤波等抗干扰电路。