国产碳化硅器件流片中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。55所碳化硅团队建成国内第一条6英寸碳化硅电力电子器件生产线，在国内率先突破第三代半导体高良率关键工艺和批产技术，并通过技术突破、工艺优化等手段，大幅增加月度峰值出片量。

随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。

与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。

三大运营商在多个城市建设5G基站进行试点.运营商将部署宏基站、小基站等多种形态的基站.其中，小基站将成为5G规模建设的关键.最近，美国发表了政策，加快了5G小基站的配置.5g基站是怎么建的？让金投小编为你解答吧！与此同时，职业试验不仅在设备的基本性能、5G垄断能力等方面进行了网络验证，还在2018年底与垂直行业共同创新探索了新的服务.另外，由于5G将建设在中高频段，运营商需要更多的基站来实现覆盖这将大大增加运营商的成本压力.2016年，中国开始进行5G相关技术试验.2017年12月3GPP、R15NSA标准确定，三大运营商也相继开始了不同城市的试验网络建设计划.中国移动计划在武汉、杭州、上海、苏州、广州5个城市开设5G网络外场测试，今年5个城市各建设100多个5G基站.中国电信将为成都、雄安、深圳、上海、苏州、兰州六个城市和地区开展5G网络相关测试.中国联通也在上海、重庆等城市开展外场测试.另外，中国发展改革委员会也规划了每个职业生涯的12个城市，共计500站的业务应用示范网的建设目标.。