无桥Pfc，可以省去一个工频整流二极管，如用Mos替代整流，可大大提高效率，一般大功率的要做到0.99的效率1双boost，开关节点噪声大，需要钳制位电容或者钳位二极管2常用的H桥，可以用硅半导体做连续大电流3或者用图腾住，用第三代半导体GaN做Ccm控制，减少管子反向恢复损耗4用多cell和低压MOs的串并联实现无桥PFC是现在国内教授研究重。
1、电路拓扑结构推免半桥结构差不多，有点小区别。推挽工作在线性区，起模拟放大作用。半桥工作在饱和区，起到用弱电控制强电导通的开关作用。还有一点小区别，推挽的两只管子功率小，所以很容易互补。但是半桥用的MOS管或者IGBT管，大部分是N沟道的，很少有P沟道，所以推挽的两只管子的输入可以接到一路输入上，而半桥往往都用N型的管子，分别输入互补信号中的一路。
2、市电220V半桥整流后接一20欧姆电阻再接一MOS管,我现在让mos管在电压...50HZ,半桥整流之後是100HZ，相当於1/10010mS，过零触发1mS，那就是半波均方根值电压的1/10，假设MOS管无压降，差不多PU*U/R。这样就看你mos管的负载是多少了。1秒1000毫秒1/1000*1/0.02*110*110/2030.25严格讲来当然不能这样粗算，只能算正玄波起始段（达到开启电压到截止的1ms内）图形下的面积，除以1毫秒的商来作平均电压。
3、半桥和全桥的区别1、半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡，全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡。全桥电路不容易产生泻流，而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏，产生干扰。半桥电路成本低，电路容易形成，全桥电路成本高，电路相对复杂。2、桥式电路是一种整流电路（rectifyingcircuit），由四只二极管口连接成“桥”式结构，作用是将交流变压电路输出的交流电转换成单向脉动性直流电。
4、mos半桥效率99%。mos半桥效率为99%，从波形细节来看反向尖峰很小，mos半桥效率为99%，设计中测得的电感的温度小于45度，MOS管（击穿原因），采用“超级结”结构，故又称超结功率MOSFET。全数字控制是发展趋势，已经在很多功率变换设备中得到应用。