我要选igbt,请问igbt直流电流和变频器额定电流是什么关系啊,以后再不要小看igbt吸收电容在电路中的作用啦，勿因小失大！如何为太阳能逆变器应用选择正确的IGBT如果不选择正确的IGBT就不能保证最大功率输出能满足负载要求。三相电压型桥式逆变电路如何选取igbt使用三个单相逆变电路就可以组合成一个三相逆变电路，而使用到IGBT作为开关器件的三相电压型桥式逆变电路使用最为广泛，接下来我们学习该电路工作原理。

1、关键是看这些功率半导体的品质，用进口的和国产的就差很远啦，比如：用进口的MOS管，和国产的IGBT对比，即使IGBT技术比较先进，但品质工艺等方面的因素，MOS管还比IGBT的好。2、目前在焊机行业，较普遍用的进口功率半导体品牌是富士、东芝。富士在大公司占的份额多些，如佳士，瑞凌，华意隆，普耐尔，美高，固邦，益利等。

IR2110:是一种高端和低端驱动器,在IGBT驱动路中也相当于稳定输出作用。这人芯片特点，高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出信16引脚SOIC内尔斯。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使14引脚PDIP。IR2110S坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容IR2110/IR2113,标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。

重要的是DV/DT值。为何要使用吸收电容?由于母排有杂散电感存在当关断IGBT的时候就会有尖峰电压产生:这些尖峰电压加在母线上会导致VCE>VCEmax就有可能损坏IGBT。吸收电容就好比一个低通滤波器会吸收掉尖峰电压。重要的是DV/DT值，目前市场上看到的epcos、TechCap、和icel的多，wima的几乎看不到了。

以后再不要小看igbt吸收电容在电路中的作用啦，勿因小失大！选择不好的吸收电容影响：电容作用于IGBT,电容本身一般不容易坏，过滤尖峰电压能力好坏对IGBT影响很大1，如果电压不稳定，IGBT尖峰电压将很大，IGBT很容易被击穿2.平时不出问题，不代表以后不出问题，如果IGBT尖峰电压反复冲击，IGBT寿命将受影响。

如果不选择正确的IGBT就不能保证最大功率输出能满足负载要求。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。逆变器的关键参数是：输出功率、转换效率、输出波形质量。只要比较一下这些参数就知道这款逆变器质量如何了。逆变器是一种常用设备，只要是属于常用型号，一般在电气维修点以及几乎所有的电子市场都会有售的，而且只要是技术还可以的电气维修店都是可以维修的，电子市场就更可以维修了。

直流侧功率交流侧功率所以根据直流电压和交流电压就可以算出直流电流和交流电流关系了。供应商提供的经验值。IGBT典型失效现象及分析1、温度上升对IGBT参数的影响温度上升包含两个意思：一是IGBT中的电磁场能量转化为热能，主要由于器件中的电阻热效应；一是器件发热与外部冷却之间的相互作用，发生的热量如果不能及时散发出去，即散发能力不够，则使温度上升。

借助于IGBT等效电路图（图3），开通过程为：当给栅极加压Vg，产生Ig，则MOSFET开通，产生I1，I1为PNP的基极电流，开通PNP，产生I2，I2为NPN提供基极电流，产生I3，使整个IGBT全面开通。I1、I2和I3构成IGBT开通后的全部电流，其中I2为主要部分。当温度上升，α1和α2上升，使α1＋α2→1，将使寄生晶闸管出现“闭锁效应”，而使IGBT一直导通，即使Vg去掉，I10,

使用三个单相逆变电路就可以组合成一个三相逆变电路，而使用到IGBT作为开关器件的三相电压型桥式逆变电路使用最为广泛，接下来我们学习该电路工作原理。工作原理三相逆变电路如上图所示电路直流侧我们增加一个假想中点，三相逆变电路的工作方式为180度导电方式：每个桥臂导电角度为120度;同一个半桥上下两个桥臂交通导电，各相导电角度依次相差120度;在任意瞬间有3个桥臂同时导通，每次变换都在相同相上下两个桥臂之间进行，因此也被称为纵向电流。