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1、MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管一、MOS管封装不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素)，基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。常见的MOS管封装有：①插入式封装：TO3P、TO247、TO220、TO220F、TO251、TO92;②表面贴装式：TO263、TO252、SOP8、SOT23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
2、请教各位高手,D-PAK封装和TO-252封装有什么区别?DPAK和TO252封装形式、尺寸一致。只是厂家标不同。一、封装方式不同1、DPAK封装：采用单边插入到Slot插槽中，以金手指与插槽接触。2、TO252封装：塑料焊盘栅格阵列封装。二、特点不同1、DPAK封装：不使用针脚，而是使用“金手指”触点，处理器使用这些触点来传递信号。2、TO252封装：没有使用针脚，而是使用了细小的点式接口，具有更小的体积、更少的信号传输损失和更低的生产成本。
3、为什么to252功率器件要测雪崩半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。