mos管的原理是什么，N沟道增强型ModeMOSFET管在电路中起什么作用？NPN三极管和N沟道mos晶体管有什么区别？N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的区别在于，N沟道的Vgs为正，P沟道的Vgs为负。一般来说，N沟道是导电沟道，N型半导体和P沟道是P型半导体，然后我们就可以区分栅极压降是正还是负。
1、MOSFET是一种应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管MOSFET，全称金属氧化物半导体场效应晶体管，中文叫金属氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS晶体管。它是一种场效应晶体管，可用于模拟电路和数字电路。功率MOSFET是指功率输出级的MOSFET器件，工作电流通常大于1A。由于功率器件的分类方法多种多样，而且每种分类方法的分类逻辑并不存在上下关系，这里我们从驱动方式、可控性、载流子类型三个分类维度将功率MOSFET定义为电压驱动的全控单极功率器件。
2、全控型器件的电力场效应晶体管(PowerMOSFET功率MOS场效应晶体管通常主要指绝缘栅型的MOS型，MOSFET(PowerMOSFET结型功率场效应晶体管一般称为静电感应晶体管。它是单极性电压控制的全控器件。其特点是用栅极电压来控制漏极电流。输入阻抗高，驱动电路简单，所需驱动功率小。
热稳定性比GTR好。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子器件。根据导电沟道的不同，功率MOSFET可以分为P沟道和N沟道。当耗尽型的栅极电压为零时，在漏极和源极之间存在导电沟道。对于N(P)沟道器件增强，导电沟道仅在栅极电压大于(小于)零时存在。功率MOSFET主要是N沟道增强型。功率MOSFET的结构小功率MOS管是一种横向导电器件。
3、请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺...这个问题我好像回答过很多次了。MOS根据其“沟道”的极性可分为‘n沟道MOSFET’和‘p沟道MOSFET’。该结构显示在典型平面N沟道增强型MOSFET的横截面中。它使用一块P型硅半导体材料作为衬底(图1a)，在其表面扩展两个N型区域(图1b)，然后用二氧化硅绝缘层覆盖它(图1c)。最后，通过蚀刻在N-区域上制作两个孔，并且通过金属化在绝缘层上和两个孔中制作三个电极G(栅极)、S(源极)和D。
通常，衬底和源在内部连接。作用是使增强型N沟道MOSFET工作，在G和S之间加上正电压VGS，在D和S之间加上正电压VDS，从而产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可以控制工作电流ID。如果没有先连接VGS(即VGS0)，则在D和S电极之间施加正电压VDS，漏极D和衬底之间的PN结方向相反，因此漏极和源极之间不导通。如果在栅极g和源极s之间施加电压VGS，
4、功率MOSFET(N沟道增强模式看自己的数据，不知道正确的理解。请指教。1)MOSFET关闭。在VGS下，MOSFET被关断。与感性负载感应电动势相连的MOSFET内部箝位二极管击穿，释放栅极电压，MOSFET关断，然后MOSFET工作在横流区。2)当Vgs在钳位电流时间时，似乎保持在电压Vth，基本保持不变。3)感性负载的能量在主沟道MOSFET中释放，箝位二极管有一小部分。
5、mos场效应管p型和n型如何区分MOS FET分为J型、增强型和耗尽型。一般来说，N沟道是导电沟道，N型半导体和P沟道是P型半导体，然后我们就可以区分栅极压降是正还是负。Mos FET在金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此它具有非常高的输入电阻。结型场效应晶体管的栅极电压控制由栅极和沟道之间的反向偏置pn结形成。所以输入电阻不如mos FET。MOS FET分为J型，增强型，耗尽型，你问哪个？
一般来说，N沟道是导电沟道和N型半导体，P沟道是P型半导体，然后你就可以区分栅极压降是正还是负了。可以找一个绿色的电子电路基础，很清晰，有图表，还有通道是怎么形成的。或者可以买个蓝皮的CMOS集成电路设计，第二章也很清楚。如果还是不懂，最好先学习一下《半导体原理》和《半导体器件物理》这两本书。这对理解通道是如何形成的非常有帮助。
6、N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别我不知道，但是我知道由于工艺原因，P沟道MOS的特性不如N沟道MOS！因此，N沟道MOS常被用作开关晶体管。据我所知，它们主要是输出特性曲线和传递特性曲线不同，这是影响它们性能不同的原因。IMG 2118 .N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的区别在于，N沟道的Vgs为正，P沟道的Vgs为负。只要Vgs达到开路阈值，漏极和源极级就可以流动。
7、NPN型三极管和N沟道mos管有什么区别?MOS晶体管(场效应晶体管)导通电压降低，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，有保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，但开关速度不高，价格昂贵。三极管开关速度高，大三极管的Ic可以做得很大，缺点是损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。FET和三极管的比较:1) FET是电压控制元件，三极管是电流控制元件；2) FET之所以称为单极器件，是因为它利用多数载流子导电，三极管之所以称为双极器件，是因为它既有多载流子又有少载流子导电。3) FET比三极管更灵活。FET的制造工艺更适合集成电路。
8、N-ChannelEnhancementModeMOSFET管子在电路中起什么作用?首先，MOSFET管的作用可以作为高阻输入的放大级和大电流驱动的功率级。根据不同的应用，所用管子的类型参数是不同的。NChannel表示n沟道，类似于NPN晶体管的极性连接；相反，P沟道管就像一个PNP晶体管。EnhancementMode的意思是增强模式。默认情况下，栅极悬空时，灯管不导通，需要在栅极上加一个与N或P沟道对应极性的电压才能接通，其中N沟道型需要正极性电压，P沟道型需要负极性电压。
另外，由于MOSFET管是电压控制器件，当它作为输入级使用时，不会增加前一级电路的电流负担，比如测量仪器，完全不消耗前一级电流就能测量出真实的真电压，不会像普通三极管那样造成电压略微下降；作为功率输出级，不需要像普通三极管那样需要基极偏置电流，为大功率场合节省了可观的电能，所以越来越多的功率场合使用MOSFET管。
9、mos管是什么原理,起什么作用的工作原理:MOS晶体管通过施加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快，其主要原理如图所示:功能:由于MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。