还要注意设置死区时间。帮忙比较一下这两个mos晶体管电路的设计，解决死区时间的方法如下:1 .使用中断优先级管理，将重要中断设置为高优先级，以减少死区时间；2.多核处理器用于将不同的中断分配给不同的核心，以减少死区时间；什么是死亡时间？电控阀特性测量实验中为什么要设置死区阀？阀门的理想流量特性是在阀门两端压差保持不变的情况下获得的。

摘要:简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点和工作原理。利用UC3637和IR2110构建了一种高电压、大功率、小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。关键词:小信号放大器；双脉冲宽度调制；悬挂驱动；高压大功率介绍0现有的小信号放大电路很多都是由晶体管或MOS晶体管组成，其功率是有限的，所以不能把电路的功率做得很大。

SPWM技术有两种实现方式。一种是模拟集成电路将正弦调制波与三角波载波进行比较，产生SPWM信号。另一种是使用数字方法。随着应用的深入和集成技术的发展，商品化的专用集成电路(ASIC)、专用单片机(8X196/MC/MD/MH)和DSP可以简化控制电路结构，集成度高。因为数字芯片一般比较贵，所以这里用的是模拟集成电路。

根据你的描述，有几个原因:1。MOS管质量不好；2.你的电源死区太小；3.您选择的管边距不够；4.灯管安装工艺有问题，主要是散热不好。5.有些电路需要MOS管的门极有放电电路，以及是否有。看看这个。我没见过MOS管爆炸。最多就是个电容。MOS管长时间超过额定电流会烧坏。爆炸应该很少。现在很多MOS管都不合格，这个东西很容易坏。

可以用第一个，应该是H桥电路的一半。第二种既有上拉又有下拉，完全没必要，12V会和单片机IO串联，有风险。还要注意设置死区时间。(1)第二种设计上拉，因为信号输出是集电极开路输出。(2)第一次设计是否正确？我觉得pmos的源电压是不确定的，应该是不正确的。电路1上管关断时间过长，电路2上半部分对单片机IO口有害，供大家参考。

STM32F405死时间是指在某些特定的情况下，当CPU处理器收到中断请求时，在处理器开始执行中断服务程序之前，CPU处理器会有一段延迟时间，这就是死时间。解决死区时间的方法如下:1 .使用中断优先级管理，将重要中断设置为高优先级，以减少死区时间；2.多核处理器用于将不同的中断分配给不同的核心，以减少死区时间；

Dead time是为了防止PWM输出时由于开关速度问题，H桥或半H桥的上下管同时导通而设置的保护期。通常也指pwm响应时间。由于IGBT(绝缘栅功率管)等功率器件有一定的结电容，会造成器件开关的延时现象。一般在设计电路的时候已经尽可能的减小了影响，比如尽可能的提高控制电极的驱动电压和电流，设置结电容释放回路。为了使igbt可靠工作，避免由于关断延时效应导致上下桥臂直接连接，需要设置死区时间，即上下桥臂同时关断的时间。

死区时间长使模块工作更可靠，但会使输出波形失真，降低输出效率。死区时间短，输出波形更好，但会降低可靠性，一般是美国水平。一般来说，死时间是改变不了的，只取决于功率元件的制造工艺！死时间是指无法控制的时间域。在变频器中，一般指功率器件输出电压和电流的“0”区，在驱动控制中，一般指电机正反向转换电压和电流的过零时间。

当阀门两端的压差保持不变时，阀门获得理想的流量特性。在实际工程中，几乎所有的控制阀都不可能在恒定的压降下工作(除非安装了压差控制器)，在阀门关闭到全开的过程中，两端的压差是变化的，这使得控制阀的流量特性发生变化，等百分比特性趋于线性。在不同的阀重下，电控阀的工作流量特性不同，随着阀重的减小，偏差越严重。