半导体器件对温度最敏感。在高温条件下,晶体管的HFE随温度升高而增大,从而引起工作点漂移、增益不稳,造成电子仪器性能不稳定,产生漂移失效;2。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内,电导率可以被近似为与温度成正比。电导率与温度具有很大相关性。因为在一定温度下,半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。

半导体的电阻对温度变化很敏感,因此常用于热敏电阻的制造。不能简单地说,半导体的电阻率是温度的单调递减函数。在温度较低时,杂质没有完全电离,这时随温度升高,杂质电离增加直到完全电离。半导体和绝缘体的电子要变成自由电子需要吸收较多的能量,温度高的话,电子能级提高,变成自由电子需要吸收的能量就减少。在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带。