当二极管在反向偏置下工作时，二极管具有电流源的特性。如果有一个可以控制的当前源，那么它就可以形成几个关键和有价值的应用程序的基础，如果输入电压的小变化可以影响电流源的大变化，那么如果电流被传递到一个大的负载电阻，输出电压Vout的结果变化可能会很大，由此产生的电压增益Vout/Vin构成了晶体管工作的基础，并解释了为什么晶体管的输出总是由电流源表示。

太阳能电池和光电探测器考虑了一个反向偏置二极管，它受到能量大于带隙的光子的照明。产生电流：p-n连接对于反向偏置连接。在耗尽边缘的扩散长度内产生的任何少数载流子电子都可以扩散到边缘。控制和监测流过反向偏置二极管的电流，形成了大量器件的基础，包括光电探测器和双极晶体管。随着入射光强的增强，或电子-空穴对产生率的增加，反向电流的增加，其中IV平面被划分为四个象限。

光电二极管的一些关键性能参数包括以下几项。响应率一个硅光电二极管的响应特性与突发光照波长的关系响应率（responsivity）定义为光电导模式下产生的光电流与突发光照的比例，单位为安培/瓦特（A/W）。响应特性也可以表达为量子效率（Quantumefficiency），即光照产生的载流子数量与突发光照光子数的比例。暗电流在光电导模式下，当不接受光照时，通过光电二极管的电流被定义为暗电流。

暗电流必须预先测量，特别是当光电二极管被用作精密的光功率测量时，暗电流产生的误差必须认真考虑并加以校正。等效噪声功率等效噪声功率（英语：Noiseequivalentpower,NEP）是指能够产生光电流所需的最小光功率，与1赫兹时的噪声功率均方根值相等。与此相关的一个特性被称作是探测能力（detectivity,D），它等于等效噪声功率的倒数。

AB当电键断开时，电流表示数不为零，说明电子获得的能量大于逸出功，而此时光电管两端电压为零，所以滑变器的触头向右滑动时，电压逐渐增大，所以电流表示数会增大，故A正确。若选用光子能量为1.7eV的光照射，则电子获得的能量不足以逃逸出去，所以没有电流产生，故B正确，，闭合电键后所加电压为正向电压，所以继续向右滑动触头增加电压，电流也不会为零，C错。

光电二极管的电流大小与光照强度有关，光越强内阻越小，通过的电流也就越大。反向电压当然会影响到光电二极管的工作的，反偏电压大了，会造成光电二极管截止。光电流的大小和光强以及电压都有关系。被打出来的光电子会飞往各个方向，所以加上电压后会使得它们能够在电场的引导下尽可能多的跑往阳极成为可以探测的光电流。因此随着电压的增加越来越多的光电子会被吸引到阳极，光电流就会增加。

普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，光电流就是这么检测的。