电路原理从电路拓扑上看，半桥电路和全桥电路并没有本质上的区别。都是两对桥臂轮流开通和关断，完成能量由变压器原边向副边的传递，两个上下位置的开关管都需要保持一定的死区以确保不会直通，从电路结构上看，用作桥臂的两个电容既可以用电解电容，也可以用金膜电容，1使用电解电容时需要考虑电解电容的分压问题、安规对于串联电解电容的要求、以及防止不对称造成的偏磁问题。

一般选择几百K/3W的电阻。安规要求电解电容失效后不能造成其它电解电容严重漏液或爆炸起火。因此目前的做是在电解电容两端各并联一个压敏电阻。为了防止桥式电路在工作中由于两边开通时间的不对称造成的偏磁，这里也需要加一个隔直的金膜电容，金膜电容的容量需要根据原边工作电流的大小来确定。2使用金膜电容做桥臂：使用金膜电容做桥臂相对电解电容有几个好处：a：可以不用考虑两个桥臂电容的分压问题。

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(UQ/C)，将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。

对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电静电击穿，CMOS电路都怕静电；Mos开关原理（简要）：Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。

开关电源的常见故障：1、保险烧或炸；2、无输出，保险管正常；3、有输出电压，但输出电压过高；4、输出电压过低。开关电源常见故障：1、高压滤波电容值下降导致供电不足；2、IC启动电阻烧坏导致无法启动；3、开关管击穿导致烧保险、烧电阻；4、开关变压器高压侧绕组的电容击穿、开路；5、反馈光耦损坏，过压引起一系列故障；6、污染、脏污影响开关PWM或振荡器。