你可能不相信，目前连小小的二极管都无法实现全部国产替代。1，这个二极管当然不是指常用的整流二极管，而是射频电路里的：PIN二极管，而且耗散功率1W以上的，PIN二极管主要用在无线通讯里的：信道切换，天线切换，收发切换等等，是非常关键的部件，2，目前国内量产的PIN二极管的耗散功率都是0.1W--0.2W之间，无法在大功率射频电路上使用，更为难以接受的是：这些国产PIN管大部分都是仿造NXP的，DATASHEET都直接套NXP的，而且手册里面的参数和图表甚至连小数点后的0.01位都和NXP一样。

因为他的制作工艺很复杂，要在PN结中间接入一层叫Intrinsic的I层，这个就涉及到各种半导体材料的研究了，而这恰恰是我们经常摸后脑的薄弱点。这个材料不过关的话引发：导通时候的等效电阻必定过大，而截止时候的等效电容飙升，反向电压不足等等问题，这些都会导致PIN管损耗增大，管子通电一会就升温爆炸。

RBB双基极晶体管的基极间电阻RE射频电阻RL负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻r;δ衰减电阻r(th)瞬态电阻VB反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VB2B1基极间电压VBE10发射极与第一基极反向电压VEB饱和压降VFM最大正向压降(正向峰值电压)VF正向压降(正向直流电压)△VF正向压降差VDRM断态重复峰值电压VGT门极触发电压VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGRM门极反向峰值电压VF(AV)正向平均电压Vo交流输入电压VOM最大输出平均电压Vop工作电压Vn中心电压Vp峰点电压VR反向工作电压(反向直流电压)VRM反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)击穿电压Vth阀电压(门限电压、死区电压)VRRM反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM反向工作峰值电压Vv谷点电压Vz稳定电压△Vz稳压范围电压增量Vs通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av电压温度系数Vk膝点电压(稳流二极管)VL。

光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子空穴对，称为光生载流子，它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”，光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。