高速锗硅雪崩光电二极管论文导读由于市场需求的爆发式增长，数据中心和高性能计算的高速光互连已成为光通信领域的快速发展方向。为实现更高的带宽和集成度，高增益带宽的雪崩光电二极管受到广泛关注，碰撞电离系数比作为雪崩光电二极管优化的关键参数之一，显著影响过量噪声和增益带宽积，由于硅的低碰撞电离系数比、结构简单、兼容CMOS工艺等优点，锗硅雪崩光电二极管的发展前景十分广阔。

中国科学院西安光学精密机械研究所的王斌浩研究员等人回顾总结了高速锗硅雪崩光电二极管工作的近期进展。研究背景具有内部增益的雪崩光电二极管可以显著提高接收机的灵敏度，从而放宽光器件和电芯片的带宽要求以及链路和功率预算。雪崩效应不仅会导致倍增增益，还会产生过量噪声。雪崩光电二极管的优势很大程度上取决于它们是否具有足够高的增益带宽，这与过量噪声紧密相关。

二极管型号参数如下：1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。

它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。5．最大反向峰值电压VRRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRRM值可达几千伏。

整流二极管需要考虑最大蒸馏电流、电压、功率，反向电压，工作频率稳压管还需要考虑稳压值，开关、快恢复二极管还要考虑恢复时间。反向耐压，频率；最大电流；等等。那要看你要选择什么二极管了，是整流二极管，稳压二极管，还是发光二极管啊，不同的参数也就不同记住3个1，电流100mA，反向最大电压100V(也有手册给出80V),截止频率100兆。

一共有五个：1、稳定电压VZ2、稳定电流IZ3、动态电阻rZ4、额定功耗PZ5、温度系数α希望能帮到你参考资料来源：。一、导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小，二、反向饱和漏电流IR：IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。