mos管的标志是什么？MOS晶体管的源漏可以切换，都是在P型背栅中形成的N型区。无论N型还是P型MOS管，其工作原理本质上都是一样的，为什么MOS晶体管一般选择P型而不是N型作为衬底？还有P沟道MOS(PMOS)晶体管，由轻掺杂N型背栅和P型源漏组成。
1、MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了MOSFET TP和MOSFETN的区别:1。MOSFET P是P沟道，MOSFETN是N沟道；2.为了正常工作，NMOS管施加的Vds必须为正，导通电压VT也必须为正，实际电流方向是流入漏极。与NMOS不同，PMOS管施加的Vds必须为负，导通电压VT也必须为负，实际电流方向是漏极。n沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。
PMOSFET与NMOS相同，除了代表衬底的B箭头方向。N沟道增量MOSFET沟槽产生的条件是:VGS大于等于VT，可变电阻区与饱和区的边界为VDSVGSVT。在可变电阻区域:VGS>VT，VDSVT，VDS>VGSVT。P沟道增量MOSFET沟槽的条件是VGS小于等于VT，可变电阻区与饱和区的边界为VDSVGSVT。
2、请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺...这个问题我好像回答过很多次了。MOS根据其“沟道”的极性可分为‘n沟道MOSFET’和‘p沟道MOSFET’。该结构显示在典型平面N沟道增强型MOSFET的横截面中。它使用一块P型硅半导体材料作为衬底(图1a)，在其表面扩展两个N型区域(图1b)，然后用二氧化硅绝缘层覆盖它(图1c)。最后，通过蚀刻在N-区域上制作两个孔，并且通过金属化在绝缘层上和两个孔中制作三个电极G(栅极)、S(源极)和D。
通常，衬底和源在内部连接。作用是使增强型N沟道MOSFET工作，在G和S之间加上正电压VGS，在D和S之间加上正电压VDS，从而产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可以控制工作电流ID。如果没有先连接VGS(即VGS0)，则在D和S电极之间施加正电压VDS，漏极D和衬底之间的PN结方向相反，因此漏极和源极之间不导通。如果在栅极g和源极s之间施加电压VGS，
3、MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?g:gate；S: source来源；d:沥干。n通道电源一般接D，输出S，P通道电源一般接S，输出D，增强型耗尽连接基本相同。晶体管有n型沟道，称为NchannelMOS晶体管，或NMOS。还有P沟道MOS(PMOS)晶体管，由轻掺杂N型背栅和P型源漏组成。
对于供电或者驱动，当然是用来开关的。无论N型还是P型MOS管，其工作原理本质上都是一样的。MOS晶体管通过施加到输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快。
4、模电怎么样判断是哪种场效应管,以及是哪种工作状态场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(MOS晶体管)。结型场效应晶体管的工作原理(以N沟道结型场效应晶体管为例)，N沟道结构场效应晶体管的结构和符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，PN基本不导通，形成所谓的耗尽区，当漏极电源电压ed不变时。如果栅压更负，PN结界面形成的耗尽区更厚，漏源之间的导电沟道更窄，漏电流ID更小。另一方面，如果栅极电压不那么负，沟道变得更宽，ID变得更大，因此漏极电流ID的变化可以由栅极电压eg控制，即FET是电压控制元件。
5、哪位高人能告诉我在主板上怎么判断MOS是N沟道还是P沟道,还有好坏...IMG_2118 .这是比较容易混淆的红色手写笔接S极黑色手写笔接D极，大概有500块，也就是N沟道场效应晶体管，反之亦然。如何判断三极管是什么类型:(路测不准才取下)NPN:万用表打到二极管块时，先用红笔接B极，再用黑笔分别接剩下的C极和E极。如果测两次电阻都在600欧姆左右，说明晶体管是NPN PNP:万用表打到二极管块时，先用黑笔接B极，再用红笔分别接剩下的C极和E极。如果测两次电阻都是600欧姆左右，说明灯管是PNP型的，判断好不好就好了(只有路测不准的时候才会取下来测量)。只有当B/C和B/E的电阻正向为400，700欧姆时，反向为无穷大(1)，C/E的正负方向为无穷大(1)。
6、MOS管为什么一般选择P型作为衬底而不是N型?N沟道NMOS用P衬底，P沟道PMOS用N衬底！要看你用哪个MOS管才知道选哪个衬底。理论上，可以使用P衬底或N衬底。实际上自由电子的迁移率是空穴的3倍，所以如果用自由电子为多数载流子的N型半导体作为导电沟道，通过电流的能力就强很多。另外，从控制角度来说，NMOS可以用正电压开启，使用方便，而PMOS需要负电压，不那么方便。
7、mos管符号是什么?MOS管是一种金属氧化物(oxid)半导体。MOS晶体管的电路符号会有很多变化。电路中最常见的设计是用一条直线代表沟道，垂直于沟道的两条线代表源极和漏极，左边平行于沟道的一条短线代表栅极。有时，代表沟道的直线会被虚线代替，虚线主要用于区分增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。MOS晶体管是可以控制电压的元件，而晶体管是电流控制元件。
集成电路芯片上的MOS晶体管是四端元件，除了栅极、源极和漏极之外还有基极。在MOSFET电路的符号中，从沟道向右延伸的箭头方向可以表示器件是N型还是P型MOSFET。箭头的方向总是从P端指向N端，所以箭头是从沟道指向基端的P型MOSFET，简称PMOS(代表这个元件的沟道是P型)；反之，如果箭头从基极指向沟道，则说明基极是P型，沟道是N型。这个元件是一个N型MOSFET，缩写为NMOS。
8、mos管三个引脚如何区分确定网格G:将万用表设置为R×1k，将一个电极与万用表负极任意连接，然后依次接触另外两个电极，测量其电阻。如果两次测得的电阻值大致相等，则负极探针接触栅极，另外两个电极是漏极和源极。漏极和源极互换，如果两次测得的电阻值较大，则为N沟道；如果测两次电阻都很小，就是P沟道。判断源极S和漏极D:源极和漏极之间有PN结，所以根据PN结正反向电阻的不同，
其中阻值较低的一个(一般几千欧姆到十几万欧姆)为正向电阻，在此处黑色唱针为S极，红色唱针接D极。Mos晶体管，即集成电路中的绝缘场效应晶体管，是金属氧化物(oxid)半导体场效应晶体管。、或金属绝缘体半导体，MOS晶体管的源漏可以切换，都是在P型背栅中形成的N型区。