均一性阻变存储器的实现策略：低成本、CMOS兼容、纳米尺度可控具有高密度三维集成特点的阻变存储器(RRAM)是下一代非易失性存储技术的有利竞争者之一。然而，导电细丝形成和断裂的随机性导致了RRAM均一性差的问题，这严重阻碍了RRAM芯片的大规模商用，目前，已有部分研究通过引入锥形结构，减少RRAM中导电细丝形成和断裂的随机性。

近日，中国科学技术大学赵晓龙博士等人在SCIENCECHINAMaterials发表研究论文，提出了一种CMOS兼容的、可在纳米尺度调控的晶圆级硅锥阵列(SSA)制备方法。该方法可制备不同曲率半径的SSA，用于调控RRAM中的导电细丝。高分辨率透射电子显微镜和能量色散谱表征结果表明，SSA结构诱导器件在尖端区域形成准单根或少量的导电细丝，显著改善了器件转变参数的均一性。

你指的是cmos在主板上的物理位置吧？每款主板都不尽相同，一般是在主板的左下角区域，而且不同的主板采用的cmos存储芯片也不一定相同，具体可参考主板的说明书。在主板的芯片里，你摸不着也看不到的。CMOS简单地说就是用来配置主板参数的。CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体，一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料是微机主板上的一块可擦写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。

CMOSRAM本身只是一块内存，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的（如IBM的PC/AT机型），使用很不方便。现在多数厂家将CMOS设置程序做到了BIOS芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入CMOS设置程序方便地对系统进行设置，因此CMOS设置又被叫做BIOS设置。

在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us,否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500PF）时等效于输出短路的情况。

因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。主要封装形式双列直插（DIP封装）扁平封装（PLCC封装）BIOS设置和CMOS设置的区别和联系BIOS是主板上的一块EPROM或EEROM芯片，里面装有系统的重要信息和设置系统参数的设置程序（BIOSSetup程序）；CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，里面装的是关于系统配置的具体参数，其内容可通过设置程序进行读写。