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早期的功率型mosfet器件漏极和源极需要很长

早期的功率型mosfet器件漏极和源极需要很长
早期的功率型MOSFET可以实现大电流传输,但是器件的栅、源、漏都在表面,因此器件的漏极和源极需要很长,十分浪费芯片面积。并且由于LDMOS的栅、源、漏都在同一个表面,在多个MOSFE...
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