早期的功率型MOSFET可以实现大电流传输，但是器件的栅、源、漏都在表面，因此器件的漏极和源极需要很长，十分浪费芯片面积。并且由于LDMOS的栅、源、漏都在同一个表面，在多个MOSFET器件进行并联时需要额外的隔离层，工艺步骤增加，因此后来发展了VDMOS，这就是早期的planerVDMOSMOSFET，这种结构将原来LDMOS器件的漏极统一放到器件的另一侧，这样使得漏极和源极的漂移区长度可以通过背面减薄来控制，而且该种结构可以实现更有利于晶体管并联。
1、开关电原的开关管要用多少的峰值电流和电压是根据什计算的?开关电原的开关管选型，是按照开关管电流大于工作电流的5倍。电压高于最高工作电压的两倍来选取的。比如：一个100W的开关电源，220V输入。那么这个电压整流滤波后的电压是315V，所以应该选额定耐压400V－600V的开关管，因为额定耐压400V的开关管的最大耐压可以达到800V。600V的最大耐压可以达到1200V。电流呢就要看你做这个产品的档次和散热方式和条件。
2、反激开关电源的输入端峰值电流怎么计算?公式是：IVS*Ton/L，其中VS是输入电压，Ton是开关开通时间，L是原边电感。反激开关电源的输入端峰值电流IVS*Ton/L，（VS：输入电压，Ton：开关开通时间，L：原边电感）反激式变压器开关电源，是指当变压器的初级线圈正好被直流脉冲电压激励时，变压器的次级线圈没有向负载提供功率输出，而仅在变压器初级线圈的激励电压被关断后才向负载提供功率输出，这种变压器开关电源称为反激式开关电源。
3、直流电峰值电流怎么计算根号二倍的关系交流电是随时间做周期变化的正弦波。我国为0.02秒一个周期，峰值就出现在每半个周期的中间。由于时刻在变动，测量比较困难，所以改用有效值显示，即将发热量相等的同一规格的直流电流值视为交流电流值的有效值，根据计算推导，峰值等于根号二倍的有效值。
4、怎么估算MOSFET到底要多大的驱动电流没法估算.因为行业标准,就是用电流元,充电Qg电量后,MOS导通.但人们用的是电压元.所以Qg并没有意义.你需要注意的是,电流不要超过driver的驱动能力.那么剩下的,就是用示波器,才找到合适的参数.需要指出的是,driver的输出电流,不是电流元.是相当于一个电压元串联一个可变电阻.电流越大,输出电压就越小.所以不要超过driver的驱动能力。