什么是巨磁电阻效应？什么是巨磁电阻效应？巨磁电阻效应是指有外磁场时，磁性材料的电阻率与无外磁场时相比变化很大的现象。巨磁阻的原理是什么？什么是磁阻效应？巨磁阻效应适用于哪里？所谓巨磁电阻效应，是指有外磁场时，磁性材料的电阻率与无外磁场时相比变化很大的现象。

这个很好理解。磁阻效应通常意味着电阻会在磁场的影响下发生变化。巨磁阻说白了就是在一定条件下电阻变化很大。要知道硬盘里的数据是用01存储的，高电压代表1，低电压代表0。硬盘上的磁头有磁场，当它接触硬盘时，电阻发生变化，电压也会相应变化。欧姆定律，你懂的。这可以改变硬盘上的01值。

1。不应该。当线圈平面平行于磁力线，轴垂直于磁力线时，不产生电流。感应电流是由磁通量的变化引起的。如果转轴垂直于线圈平面，就不会感应。1如果是图中的磁场，垂直于轴旋转(与磁感应线方向一致)，那么磁通量没有变化，也就是没有电流产生。我也觉得答案是1“巨磁阻”效应。非常微弱的磁变化就能导致巨大电阻变化的特殊效果。

巨磁电阻是指一类材料对磁场变化敏感的特性。在磁场变化过程中，材料的电阻变化率较大，主要用于制造硬盘的读写头。固态硬盘根本不是硬盘，而是一种类似SD卡的存储设备，带有SATA接口电路。因为没有移动的机械部件，它可以是高度可靠和抗冲击的。我在这里做一个大胆的预测。在不久的将来，由于采用了这种先进的存储设备，硬盘接口将不复存在，计算机将不再需要驱动耗电的硬盘、光驱和接口电路。电脑电源的功率会大大降低，体积会变得很小。

所谓巨磁电阻效应，是指有外磁场时，磁性材料的电阻率与无外磁场时相比发生较大变化的现象。巨磁电阻(GMR)是一种量子力学效应，由层状磁性薄膜结构产生。应用:巨磁电阻效应自从被发现以来，已经被用于开发一种小型且灵敏的硬盘数据读取头。这大大减少了存储单字节数据所需的磁性材料的大小，从而大大提高了磁盘的存储容量。

具体如下:1。磁阻效应是指给带电的金属或半导体施加磁场时，电阻值的变化。它的全称是磁阻变化效应。磁阻效应可以表示为(1)△ρ有磁场和无磁场时电阻率的变化；(2)无磁场时的电阻率ρ0；(3)存在磁场时ρ b的电阻率。在大多数金属中，电阻率的变化为正，而过渡金属、准金属合金和饱和磁体的电阻率变化为负。

利用磁阻效应，可以制作磁阻元件，常用的材料有锑化铟、砷化铟等。磁阻元件主要用于构造位移传感器、速度传感器、位置传感器和速度传感器。为了提高灵敏度和增加电阻，磁阻元件可以按照一定的形状(直线或环形)串联。2.所谓巨磁电阻效应，是指有外磁场时，磁性材料的电阻率与无外磁场时相比变化很大的现象。巨磁电阻(GMR)是一种量子力学效应，由层状磁性薄膜结构产生。

巨磁电阻效应(Giant magnetoresistance effect)是指磁性材料在外磁场的作用下，电阻率相对于无外磁场时发生较大变化的现象。巨磁电阻(GMR)是一种量子力学效应和磁电阻效应，产生于层状磁性薄膜结构中，可以在磁性材料和非磁性材料交替的薄膜结构中观察到。这种结构是通过交替重叠铁磁材料和非磁性材料的薄层形成的。